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三星已宣布完整的芯片工艺发展路线图,最高可达4纳米

作者:365bet线上足球      发布日期:2019-08-04   点击:

三星已宣布完整的芯片工艺发展路线图,最高可达4纳米
作者:Stand Source包括:All Things Cloud Networking 2017-07-1916:3:07
总结:三星电子宣布了一项关于芯片铸造工艺技术发展的综合路线图,以帮助客户设计和制造更快,更节能的芯片。
从超大型数据中心到物联网(IoT),业界发展智能互联设备的趋势不断变得清晰,消费者可以以前所未有的方式获取信息,强大
关键词:三星[334项]4nm[0件]芯片[2717件]
图1。三星已宣布完整而完整的芯片处理流程路线图,最高可达4纳米
三星电子宣布了芯片冶炼工艺技术发展的综合路线图,以帮助客户更快地设计和制造更节能的芯片。
从超大型数据中心到物联网(IoT),业界发展智能互联设备的趋势不断变得清晰,消费者可以以前所未有的方式获取信息,强大
考虑到这一点,三星公司在最新的工艺技术中宣布了8nm,7nm,6nm,5nm,4nm和18nm FD-SOI芯片处理器的工艺演变负载表。
图2.连接设备的快速增长推动了芯片技术的发展。
图3.三星与三星的Foundry论坛一起,为铸造工艺技术的发展设定了完美的道路。
最新的三星铸造论坛,三星提供的最新技术和铸造工艺解决方案。
FD-SOI(全排气硅绝缘体):对于物联网应用,三星将通过将RF(射频)和eMRAM(嵌入式磁性随机存取存储器)选项与更广泛的平台相结合,逐步扩展28FDS技术。
18FDS是三星FD-SOI路线图的下一代工艺节点,具有增强的PPA性能(功率/性能/面积)。
图4,FD-SOI
8 LPP(8 nm低功率Plus,8 nm低功率Plus):8 LPP在制造工艺成为EUV光刻(ExtremeUltraViolet)之前具有最大的竞争优势。
结合三星10纳米技术的关键工艺创新,与10 LPP相比,8 LPP在性能和栅极密度方面提供了额外的优势。
7 LPP(7 nm低功率Plus,7 nm低功率Plus):7 LPP是首款采用EUV光刻解决方案的半导体工艺技术。
在三星和ASML的合作下,已开发出高达250 W的EUV电源。这是EUV投入生产的最重要里程碑。
EUV光刻技术的引入将打破摩尔定律扩展的障碍,为独特的纳米半导体技术的发展铺平道路。
6 LPP(6 nm低功率Plus,6 nm低功率Plus):6 LPP将三星专有的SmartScaling解决方案整合到基于EUV的7 LPP技术中,以进一步扩展面积和实现超低功耗。
5 LPP(5 nm低功率Plus,5 nm低功率Plus):5 LPP通过实施下一代4 LPP工艺制造创新来扩展FinFET结构的物理尺寸限制,以实现更好的规模和更低的功耗你。
4 LPP(4 nm低功耗Plus):4 LPP将是下一代器件架构的第一个实现。MBCFET结构(MultiBridge通道FET)。
MBCFETTM是三星专有的GateAllAround FET(GAAFET)技术,它使用纳米片器件来克服FinFET架构的物理尺寸和性能限制。
图5.除智能手机外,三星电子仍然是芯片铸造解决方案的完整供应商。
Samsung Foundry的先进工艺技术路线图展示了客户与生态系统协会之间的协同作用。
通过采用上述工艺技术,我们将以前所未有的方式带来新设备的爆炸性增长并连接消费者。
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